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报告标题: 国泰君安-电子元器件-半导体刻蚀设备行业深度报告-多轮驱动刻蚀市场,大陆厂商崛起可期-180926
上传日期:   2018/9/27
文件大小:   4525KB
文件格式:   pdf 作者:   王聪
评级:   增持 来源:   国泰君安
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        干法刻蚀是市场主流,硅刻蚀难度最大,反应离子刻蚀是目前业界重点发展方向,原子层刻蚀是未来之星。硅刻蚀作为晶体管层刻蚀,刻蚀选择比达到150:1,14纳米下深宽比达到约30:1,难度最大。
        刻蚀设备市场空间巨大。据Factor  Equilibrium  数据,2016  年全球刻蚀设备市场为78  亿美元;2017年-2025年市场销售额复合增长率  为6.8%。受益建厂潮,国内产线建设拉动20  亿美元刻蚀设备需求。根据长江存储和华力微电子产线设备采购情况,国产刻蚀设备占有率不到20%,国产化率极低。制程不断推进及设计结构日益复杂是推动刻蚀设备市场的核心逻辑。新的制造工艺,如多重图形、基于金属硬掩模的双大马士革工艺、浅沟道刻蚀、高深宽比和高选择比刻蚀等技术不断对刻蚀设备提出挑战。结构上,动态随机存取存储器和Logic/Foundry  小型化、3D  NAND  堆叠层数不断增多、鳍式场效应晶体管  成为主流等结构创新,使得刻蚀难度和刻蚀步骤不断增加,拉动刻蚀设备需求和发展。
        海外公司称霸市场,“内部研发+外延并购”打造具有技术优势的平台型企业,解决方案逐步升级。泛林和应用材料在全球刻蚀领域市场份额位列第一名和第三名。两个公司均积极并购业务重复性低的企业,实现技术优势互补和业务拓展,增强产线上不同阶段设备协同性,升级解决方案。国内刻蚀公司服务优势明显,技术紧跟步伐,有望实现弯道超车。国内公司具有地理优势,服务响应快速。北方华创主攻硅刻蚀和金属刻蚀,14纳米  制程已进入验证阶段;8  英寸高密度等离子硅刻蚀机已进入中芯国际产线;深硅刻蚀机成功挺进东南亚市场。中微半导体深耕介质刻蚀设备,7纳米  制程已实现量产,并成功进入台积电产线;5纳米  制程正在研发;电容型介质刻蚀设备已进入全球前三;硅通孔刻蚀设备方面,8  英寸和12  英寸设备国内市占率,超过50%。
        风险提示:进口替代速度不及预期、国内建厂进程不及预期。
        
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