打破IC发展限制，向高密度封装时代迈进。集成电路封装是指将制备合格芯片、元件等装配到载体上，采用适当连接技术形成电气连接，安装外壳，构成有效组件的整个过程，封装主要起着安放、固定、密封、保护芯片，以及确保电路性能和热性能等作用。先进封装技术通过采用更紧凑、更高级设计和制程技术，可提供更高集成度，更小尺寸，更高性能及更低能耗芯片。通过将多个芯片堆叠，在显著提高集成度及性能时，降低空间需求。在性能与能耗上，先进封装通过优化设计与制程，可大幅提高信号传输速度，降低功耗。在制程技术上，先进封装采用如微细化焊球、超低k材料等创新技术，使得封装电气性能及散热性能有显著提升。未来封装各类间距将会进一步下降，BumpI/0间距将会缩小至50-40μm之间，重布层线宽间距将至2/2μm，高密度封装时代渐行渐近。
　　横向连接/纵向堆叠奠定先进封装技术基石。（1）倒装：在I/O底板上沉积锡铅球，将芯片翻转加热，利用熔融锡铅球与陶瓷机板相结合来替换传统打线键合；（2）重新布线(RDL)：将原来设计的IC线路接点位置(I/Opad)，通过晶圆级金属布线制程和凸块制程改变其接点位置，使IC能适用于不同的封装形式；（3）晶圆级封装：先在整片晶圆上同时对众多芯片进行封装、测试，最后切割成单个器件，并直接贴装到基板或PCB上，生产成本大幅降低，其中FIWLP具有真正裸片尺寸的显著特点，通常用于低输入/输出（I/O）数量（一般小于400）和较小裸片尺寸工艺当中；FO-WLP初始用于将独立的裸片重新组装或重新配置到晶圆工艺中，并以此为基础，通过批量处理、构建和金属化结构，Fan-Out的Bump可以长到Die外部，封装后IC也较Die面积更大（1.2倍最大）。（4）TSV：TSV贯穿2.5D/3D封装应用，TSV生产流程涉及到深孔刻蚀、PVD、CVD、铜填充、微凸点及电镀、清洗、减薄、键合等二十余种设备，其中深孔刻蚀、气相沉积、铜填充、CMP去除多余金属、晶圆减薄、晶圆键合等工序涉及的设备最为关键。在2.5D封装中TSV充当多颗裸片和电路板之间桥梁，其中CoWoS为2.5D封装中最突出代表，在3D中TSV用于堆叠，HBM为3D封装最典型应用。（5）混合键合：HB技术简化3D堆叠布线层，可实现更高互联密度HB技术,且可直接省略再布线，使设计难度降低，避免再布线及倒装回流焊可提高可靠性。（6）板级埋入式封装：将带有多层导电金属互连的超薄硅片埋入有机封装基板的最上层，通过焊球与倒装芯片的连接，以实现两个或多个芯片之间的局部高密度互连，与台积电的CoWoS-S封装相比，EMIB封装既不需要TSV工也不需要Si中介层，因此其具有封装良率高、设计简单、成本更低等优点。
　　材料与设备任重道远，制造与IDM厂商入驻先进封装，开辟中道工艺。从竞争格局来看，各类半导体封装材料市场集中度较高。日本厂商在各类封装材料领域占据主导地位，部分中国大陆厂商已跻身前列（引线框架、包封材料），成功占据一定市场份额。在国产替代方面，根据头豹研究院数据，中国半导体封装材料整体国产化率约30%，其中引线框架、键合金属丝的国产替化率最高，分别达到40%和30%，而陶瓷封装材料、芯片粘结材料与封装基板等材料国产化率仅5%-10%。先进封装处于晶圆制造与封测中的交叉区域。先进封装要求在晶圆划片前融入封装工艺步骤，具体包括应用晶圆研磨薄化、线路重排（RDL）、凸块制作（Bumping）及三维硅通孔（TSV）等工艺技术。先进封装更多在晶圆层面上进行，采用前道制造方式来制作后道连接电路，工艺流程的相似性使得两者使用设备也大致相同，其中倒装就要采用植球、电镀、光刻、蚀刻等前道制造的工艺，2.5D/3D封装TSV技术就需要光刻机、涂胶显影设备、湿法刻蚀设备等，从而使得晶圆制造与封测前后道制程中出现中道交叉区域。
　　芯粒IP复用延续摩尔定律，新建晶圆厂与产线扩产共促封测需求。Chiplet技术背景下，可将大型单片芯片划分为多个相同或者不同小芯片，这些小芯片可以使用相同或者不同工艺节点制造，再通过跨芯片互联及封装技术进行封装级别集成，降低成本的同时获得更高的集成度。Chiplet优势：（1）接力摩尔定律，持续推进经济效应；（2）Chiplet助力良率及晶圆使用面积显著性提升；（3）较SoC综合成本下降；（4）芯粒IP化，设计周期及成本显著降低。全球8寸、12寸晶圆产能有望持续提升，直接带动封装需求；Fabless纵向拓展封测领域，有望带动先进封装多元发展；各大封测厂积极扩产，为新一轮应用需求增长做好准备。
　　投资建议：ChatGPT依赖大模型、大数据、大算力支撑，其出现标志着通用人工智能的起点及强人工智能的拐点，未来算力将引领下一场数字革命，xPU等高端芯片需求持续增长。先进封装为延续摩尔定理提升芯片性能及集成度提供技术支持，随着Chiplet封装概念持续推进，先进封装各产业链（封装/设备/材料/IP等）将持续受益。u建议关注：通富微电、长电科技、华天科技、芯原股份、北方华创、华峰测控、华海诚科、鼎龙股份、华封科技（未上市）
　　风险提示：行业与市场波动风险；国际贸易摩

研究报告全文：证券研究报告集成电路封装行业深度报告领先大市-A首次华金证券电子团队一走进芯时代系列深度之六十七25D3D封装技术发展引领产业变革向高密度封装时代迈进分析师孙远峰S0910522120001分析师王海维S0910523020005分析师王臣复S09105230200062023年09月21日本报告仅供华金证券客户中的专业投资者参考请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明核心观点u打破IC发展限制向高密度封装时代迈进集成电路封装是指将制备合格芯片元件等装配到载体上采用适当连接技术形成电气连接安装外壳构成有效组件的整个过程封装主要起着安放固定密封保护芯片以及确保电路性能和热性能等作用先进封装技术通过采用更紧凑更高级设计和制程技术可提供更高集成度更小尺寸更高性能及更低能耗芯片通过将多个芯片堆叠在显著提高集成度及性能时降低空间需求在性能与能耗上先进封装通过优化设计与制程可大幅提高信号传输速度降低功耗在制程技术上先进封装采用如微细化焊球超低k材料等创新技术使得封装电气性能及散热性能有显著提升未来封装各类间距将会进一步下降BumpI0间距将会缩小至50-40m之间重布层线宽间距将至22m高密度封装时代渐行渐近u横向连接纵向堆叠奠定先进封装技术基石1倒装在IO底板上沉积锡铅球将芯片翻转加热利用熔融锡铅球与陶瓷机板相结合来替换传统打线键合2重新布线RDL将原来设计的IC线路接点位置IOpad通过晶圆级金属布线制程和凸块制程改变其接点位置使IC能适用于不同的封装形式3晶圆级封装先在整片晶圆上同时对众多芯片进行封装测试最后切割成单个器件并直接贴装到基板或PCB上生产成本大幅降低其中FI-WLP具有真正裸片尺寸的显著特点通常用于低输入输出IO数量一般小于400和较小裸片尺寸工艺当中FO-WLP初始用于将独立的裸片重新组装或重新配置到晶圆工艺中并以此为基础通过批量处理构建和金属化结构Fan-Out的Bump可以长到Die外部封装后IC也较Die面积更大12倍最大4TSVTSV贯穿25D3D封装应用TSV生产流程涉及到深孔刻蚀PVDCVD铜填充微凸点及电镀清洗减薄键合等二十余种设备其中深孔刻蚀气相沉积铜填充CMP去除多余金属晶圆减薄晶圆键合等工序涉及的设备最为关键在25D封装中TSV充当多颗裸片和电路板之间桥梁其中CoWoS为25D封装中最突出代表在3D中TSV用于堆叠HBM为3D封装最典型应用5混合键合HB技术简化3D堆叠布线层可实现更高互联密度HB技术且可直接省略再布线使设计难度降低避免再布线及倒装回流焊可提高可靠性6板级埋入式封装将带有多层导电金属互连的超薄硅片埋入有机封装基板的最上层通过焊球与倒装芯片的连接以实现两个或多个芯片之间的局部高密度互连与台积电的CoWoS-S封装相比EMIB封装既不需要TSV工也不需要Si中介层因此其具有封装良率高设计简单成本更低等优点请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明2核心观点u材料与设备任重道远制造与IDM厂商入驻先进封装开辟中道工艺从竞争格局来看各类半导体封装材料市场集中度较高日本厂商在各类封装材料领域占据主导地位部分中国大陆厂商已跻身前列引线框架包封材料成功占据一定市场份额在国产替代方面根据头豹研究院数据中国半导体封装材料整体国产化率约30其中引线框架键合金属丝的国产替化率最高分别达到40和30而陶瓷封装材料芯片粘结材料与封装基板等材料国产化率仅5-10先进封装处于晶圆制造与封测中的交叉区域先进封装要求在晶圆划片前融入封装工艺步骤具体包括应用晶圆研磨薄化线路重排RDL凸块制作Bumping及三维硅通孔TSV等工艺技术先进封装更多在晶圆层面上进行采用前道制造方式来制作后道连接电路工艺流程的相似性使得两者使用设备也大致相同其中倒装就要采用植球电镀光刻蚀刻等前道制造的工艺25D3D封装TSV技术就需要光刻机涂胶显影设备湿法刻蚀设备等从而使得晶圆制造与封测前后道制程中出现中道交叉区域u芯粒IP复用延续摩尔定律新建晶圆厂与产线扩产共促封测需求Chiplet技术背景下可将大型单片芯片划分为多个相同或者不同小芯片这些小芯片可以使用相同或者不同工艺节点制造再通过跨芯片互联及封装技术进行封装级别集成降低成本的同时获得更高的集成度Chiplet优势1接力摩尔定律持续推进经济效应2Chiplet助力良率及晶圆使用面积显著性提升3较SoC综合成本下降4芯粒IP化设计周期及成本显著降低全球8寸12寸晶圆产能有望持续提升直接带动封装需求Fabless纵向拓展封测领域有望带动先进封装多元发展各大封测厂积极扩产为新一轮应用需求增长做好准备u投资建议ChatGPT依赖大模型大数据大算力支撑其出现标志着通用人工智能的起点及强人工智能的拐点未来算力将引领下一场数字革命xPU等高端芯片需求持续增长先进封装为延续摩尔定理提升芯片性能及集成度提供技术支持随着Chiplet封装概念持续推进先进封装各产业链封装设备材料IP等将持续受益u建议关注通富微电长电科技华天科技芯原股份北方华创华峰测控华海诚科鼎龙股份华封科技未上市u风险提示行业与市场波动风险国际贸易摩擦风险新技术新工艺新产品无法如期产业化风险主要原材料供应及价格变动风险等请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明3目录01先进封装打破IC发展限制向高密度封装时代迈进技术分析横向连接纵向堆叠奠定先进封装技术基石02产业链材料与设备任重道远先进封装粲然可观03行业现状制造与IDM厂商入驻先进封装开辟中道工艺04应用与需求芯粒IP复用延续摩尔定律新建晶圆厂与05产线扩产共促封测需求相关标的06风险提示07请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明4分目录先进封装打破IC发展限制向高密度封装时代迈进0111封装保护芯片及确保电路性能12发展历程迎来以3D封装为代表高密度封装时代13区别连接芯片方式划分传统与先进14工艺流程拆解以成型为时间点划分封装前后段操作15传统封装Vs先进封装16意义打破存储面积功能墙等集成电路发展限制17趋势各间距持续缩小18市场181营收逐季改善2024年有望迎来全面反弹182全球集成电路月度销售额拐点出现有望带动封装市场请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明5分目录技术分析横向连接纵向堆叠奠定先进封装技术基石0221倒装2443D封装中TSV用于堆叠211倒装FC贴装引线键合245TSV在3D封装中应用实例HBM212Bumping为晶圆制造环节延伸为FC前提24625D封装Vs3D封装22重新布线层RDL改变IC线路接点位置25混合键合HB23晶圆级封装WLP251混合键合利用范德华力实现231在晶圆上对芯片进行操作252混合键合应用于D2W232WLP依据芯片封装大小划分扇入出26四大连接技术对比233WLP依据ChipRDL工艺先后类别进一步划分27板级埋入式封装无需Si中介层及TSV工艺24硅通孔TSV241TSV贯穿25D3D封装24225D封装TSV充当多颗裸片和电路板之间桥梁243TSV在25D封装中应用实例CoWoS请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明6分目录产业链材料与设备任重道远先进封装粲然可观0331封装材料各类半导体封装材料集中度较高国产替代呈现两极分化311高端基板先进封装带动高端基板需求国产化亟待突破312环氧塑封料传统封装中国产化较高先进封装中外资厂商仍处垄断地位32封装设备321封装设备封测设备占比有望提升至19贴片机为核心设备322先进封装设备晶圆划片前融入封装工艺步骤前道设备需求加剧33先进封装331封装市场有望超1300亿美元先进封装占比超503322027年先进封装市场规模有望达650亿美元333代工厂抢占先进封装市场份额6大厂商加工先进封装晶圆超80334OSAT竞争格局稳定日月光集团安靠科技长电稳居前三甲请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明7分目录行业现状制造与IDM厂商入驻先进封装开辟中道工04艺41台积电45安靠科技深度布局TSV-less工艺FOWLPChip411前段CoWWoW后段oSInFO3DFabriclastDiefacedown412SoIC为先进封装前段工序由WoW及CoW技术构成46长电科技TSV-less路线实现高性价比先进封装413InFO集成扇出封装47对比先进封装领域内国内技术与头部厂商差距较小42三星421I-Cube25DI-CubeSI-CubeEH-Cube422通过垂直堆叠方式大幅节省芯片上空间43Intel431嵌入式多芯片互连桥为Intel25D封装亮点432Foveros将不同工艺结构用途芯片整合44日月光集团扇出型基板上晶片封裝FOCoS请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明8分目录应用与需求芯粒IP复用延续摩尔定律新建晶圆厂与产线扩产共促封测需求0551Chiplet概念544智能驾驶级别上升将带动汽车领域先进封装需求511大道至简芯粒IP复用构建高集成度芯片545高效节能芯片需求带动高性能计算领域先进封装加速渗512为异构异质集成实现夯实技术基础透52发展Chiplet进入成长期标准逐渐统一546算力为实现AI产业化核心高端芯片需求带动先进封装53Chiplet优势增长531接力摩尔定律持续推进经济效应547AIGC多行业渗透间接提高先进封装市场增量532Chiplet助力良率及晶圆使用面积显著性提升55需求533较SoC综合成本下降551中国晶圆厂独占鳌头预计至2024年底建立50座大型晶534芯粒IP化设计周期及成本显著降低圆厂54应用552全球8寸12寸晶圆产能有望持续提升直接带动封装需5415G物联网高性能运算智能驾驶XR等带动先进封求装需求553Fabless纵向拓展封测领域有望带动先进封装多元发展542手机与消费领域为先进封装最大应用领域554各大封测厂积极扩产为新一轮应用需求增长做好准备543先进封装在智能手机多芯片传感器得到应用请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明9分目录相关标的0661通富微电AMD深度绑定先进封装前景可期62长电科技全球领先的集成电路制造和技术服务提供商63华天科技以3DMatrix平台为基础构建先进封装技术地基64芯原股份全球领先的IP授权服务商65北方华创多设备应用于先进封装领域66华峰测控产品技术客户三大优势巩固国内测试机龙头地位67鼎龙股份CMP先进封装材料双布局68华海诚科聚焦于封装材料部分先进封装材料已通过客户验证69华封科技未上市聚焦先进封装设备领域高端装备制造商风险提示07请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明10分目录先进封装打破IC发展限制向高密度封装时代迈进0111封装保护芯片及确保电路性能16意义打破存储面积功能墙等集成电路发展限制12发展历程迎来以3D封装为代表高密度封装时代17趋势各间距持续缩小13区别连接芯片方式划分传统与先进18市场14工艺流程拆解以成型为时间点划分封装前后段操作181营收逐季改善2024年有望迎来全面反弹15传统封装Vs先进封装182全球集成电路月度销售额拐点出现有望带动封装市场技术分析横向连接纵向堆叠奠定先进封装技术基石02产业链材料与设备任重道远先进封装粲然可观03行业现状制造与IDM厂商入驻先进封装开辟中道工艺04应用与需求芯粒IP复用延续摩尔定律新建晶圆厂与05产线扩产共促封测需求请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明1111封装保护芯片及确保电路性能u集成电路封装是指将制备合格芯片元件等装配到载体上采用适当连接技术形成电气连接安装外壳构成有效组件的整个过程封装主要起着安放固定密封保护芯片以及确保电路性能和热性能等作用u集成电路封装一般可以分为芯片级封装0级封装元器件级封装1级封装板卡级封装2级封装和整机级封装3级封装集成电路封装分级封装五大功能解析0级封装通常芯片级封装连接方式有引线键合WB封装需考虑电源接通使集成电路芯片与外部电路芯片级进行沟通且满足封装体内部不同部位电源分载带自动键合TAB和倒装焊FCB三种配以优化封装体内部能源消耗是将一个或多个IC芯片用适当材料封装起来电源1级封装这些材料可以是塑料金属和陶瓷等或者是分配为电信号减小延迟布元器件级集成电路在使用过程中线时应尽量使信号线与它们的组合可能会遇到不同环境芯片互连路径及通过封为此封装对芯片的环环境信号装输入输出IO引出路境保护作用是显而易见保护封装分配径优化到最短2级封装将IC电阻电容接插件及其他元器件安装板卡级在PCB上的过程功能封装结构及材料对器件的散热效果起着关键封装可为集成电路芯片机械散热及其他部件提供可靠机作用对于功率特别大3级封装是将以上各类PCB板或卡总装成整机的过程械支撑使其适应不同工支撑通道的集成电路还需考虑整机级作环境和条件变化附加的降温措施资料来源集成电路产业全书王阳元华金证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明1212发展历程迎来以3D封装为代表高密度封装时代POPPiP引脚线SiP3DIC向高性能高密3DWLP度低成本迈进FCBGACSP25DinterposerQFPWBBGAFOPoPPGAWLCSPFOWLPFOSiPDIPLCCSOTSTOPQFNEmbeddedSiP时间1970S1980S1990S2000S2010S2020S通孔插装时代表面安装器件时代面积阵列表面封装时代高密度封装时代技术特点插孔安装在技术特点引线代替针脚引线技术特点焊球代替引线按面积阵列形式分布技术特点在不改变封闭体安装面积的前提下在同一个PCB上引脚节距固定为翼形或J形封装体的尺寸的表面贴装封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片引脚数增加伴随封装尺固定而周边引脚节距根据需要安装密度40-60引脚寸的增大变化超越传统意义的安装密度2优点解决了多功能高集成度高速低功耗安装密度10引脚优点降低能耗提高集成度安装密度10-50引脚多引线的集成电路芯片的封装问题22TODIPSOPQFPBGACSP3D堆叠3DTSV资料来源中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟华金证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明1313区别连接芯片方式划分传统与先进u根据切割与封装顺序划分传统封装先从晶圆上分离出单个芯片后再进行封装晶圆级封装WLP在晶圆级上进行部分或全部封装工艺再切割成单件u先进封装与传统封装最大区别在于连接芯片方式先进封装与传统封装的最大区别在于连接芯片的方式先进封装可在更小空间内实现更高设备密度并使功能得到扩展通过硅通孔桥接器硅中介层或导线层完成更大规模串联从而提高信号输送速度减少能耗切割成品晶圆级晶圆代工IC设计晶圆封装WLP切成品芯片割下游客户可用成品裸片传统封装成品芯片背面减薄晶圆切割贴片引线键合模塑切筋成型终测资料来源中为咨询3M彬复资本华金证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明1414工艺流程拆解以成型为时间点划分封装前后段操作硅片减薄硅片切割芯片贴装芯片互连将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯将芯片焊区与电子封装外壳的IO引背面减薄技术主要有磨削研磨切割改进工艺先切割后减薄DBG线或基板上金属布线焊区相连接只干式抛光化学机械平坦工艺电减薄切割法DBT两种方法皆避片承载座上的工艺过程工艺如1共晶粘贴法有实现芯片与封装结构电路连接才能化学腐蚀湿法腐蚀等离子增强免或减少减薄引起硅片翘曲及划片引发挥已有功能化学腐蚀常压等离子腐蚀等起芯片边缘损害2焊接粘贴法前3导电胶粘贴法1打线键合技术WB超声波键4玻璃胶粘贴法合热压键合热超声波键合段2载带自动键合技术TAB3倒装芯片键合技术FCB芯片操焊区于基板焊区直连作研磨减播工艺的磨轮及其工作示意图倒装芯片封装示意图将芯片与引线框架包装起来这种成型技术有金属封装塑料封先切割后减薄分离工艺示意图使用预型片的共晶芯片粘贴法示意图装陶瓷封装等成型技术后段去飞边毛刺上焊锡切筋成型打码操主要工艺介质去飞边毛刺溶剂去飞去飞边去油去氧化物切筋工艺切除框架外引脚之间的堤边毛刺水去飞边毛刺打码就是在封装模块的顶面印上去作坝及在框架带上连在一起的地方随着模具设计改进及严格控制注模条不掉的字迹清楚的字母和标识成型工艺将引脚弯成一定的形状包括制造商的信息国家器件代码件在一些较先进封装工艺中已不再烘干清洗热焊锡浸助焊剂以适合装配的需要进行去飞边毛刺工序等主要是为了识别和跟踪资料来源集成电路芯片封装技术李可为华金证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明1515传统封装Vs先进封装u先进封装技术通过采用更紧凑更高级设计和制程技术可提供更高集成度更小尺寸更高性能及更低能耗芯片通过将多个芯片堆叠在显著提高集成度及性能时降低空间需求在性能与能耗上先进封装通过优化设计与制程可大幅提高信号传输速度降低功耗在制程技术上先进封装采用如微细化焊球超低k材料等创新技术使得封装电气性能及散热性能有显著提升传统封装先进封装以市场规模最大倒装为例25D3D封装WLP扇出型系统内存带宽低高中芯片能耗比低高高芯片厚度高中低芯片发热中高低封装成本低高中性能低高中形态平面芯片之间缺乏高速互联多芯片异质集成芯片之间高速互联受制于摩尔定律芯片性能提升需要付面向高性能领域代表封装行业简评面向成本敏感市场推出折衷方案出巨大的成本无法满足新的需求发展方向资料来源真空回流焊中科同志彬复资本华金证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明1616意义打破存储面积功能墙等集成电路发展限制集成电路发展限制存储墙u存储墙处理器峰值算力每两年增长31倍而动态存储器带宽每两年增长14倍存储器发展速度远落后于处理器相差17倍近存计算方案为突破存储墙有效解决方案基于先进封装通过超短互连技术可实现存储器和处理器之间数据的近距离搬运u面积墙当芯片制程相同时通过增大芯片面积可集成更多晶体管数量从而提升芯片性能芯片尺寸受限于光刻机光罩极限通过先进封装技术集成多颗芯片是突破芯片面积墙一种低成本主流方案u功能墙可通过多芯片异质集成技术将传感存储计算通信等不同功能的元器件集成在一起实现电磁热力等多物理场的有效融合集成电路发展限制面积墙集成电路发展限制功能墙资料来源艾邦半导体网华金证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明1717趋势各间距持续缩小u与传统封装相比先进封装需要不同设备材料和工艺例如新基板材料光刻工艺激光钻孔CMP和KGD测试先进封装参与者投入大量资金开发及引入新技术与材料先进封装异构集成将推动半导体创新提高整体系统性能同时降低成本未来3D堆叠间距将会进一步下降BumpI0间距将会缩小至40-50微米之间重布层线宽间距将至22微米2019-2029先进封装技术路线图资料来源Yole华金证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明1818市场营收逐季改善2024年有望迎来全面反弹u受益于先进封装比例提升及海外客户复苏等环比改善相对明显2023Q2预计为业绩低点根据封装头部企业指引下游客户依旧处于去库存中封装厂商营收逐季改善2024年有望迎来反弹等成为行业共识AI相关及通信终端智能手机及平板领域将为后续封装市场提供增长动能其中人工智能将成为半导体行业下一个超级周期催化剂相关高端处理器和AI芯片先进封测需求对25D3D封装有望持续增长公司指引时间指引详情封测营收环比增长4-92023Q3封测毛利率环比增长75-100个基点日月光集团2023全年封测业务预计同比增长13-15左右客户晶圆库存处于初步下降阶段库存消化可能持续到未来两个季度或更多进入24年情况将大幅改善预景气度计24年将有更好增长营收1725-1825亿美元2023Q3毛利率135-155安靠科技景气度Android厂商供应链库存消耗时间不如预期通信终端有望为公司三季度提供增长动能2023Q3营收第三季度收将优于第二季下半年营收将优于上半年力成科技景气度库存去化时间不如预期电动车面板电信通讯及AI等创新将引领未来产业转变资料来源各公司官网华金证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明1918市场全球集成电路月度销售额拐点出现有望带动封装市场u市场回暖迹象显现有望带动封装市场增长未来在新兴市场和半导体技术发展带动下集成电路继续向着小型化集成化低功耗方向发展附加值更高的先进封装将得到更多应用智能手机时代5GIoT汽车电子AI时代接力全球集成电路月度销售额亿美元3G4G拐点出现资料来源SIAWSTS隆达智汇华金证券研究所整理请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明20