算力带动HBM需求井喷，HBM持续迭代升级。与DDR对比，HBM基于TSV工艺与处理器封装于同一中介层，在带宽、面积、功耗等多方面更具优势，缓解了数据中心能耗压力及带宽瓶颈。训练、推理环节存力需求持续增长、消费端及边缘侧算力增长打开HBM市场空间。2022年全球HBM市场规模约为36.3亿美元，预计至2026年市场规模将达127.4亿美元，CAGR达37%。HBM持续迭代升级，2023年主流HBM从HBM2E升级为HBM3甚至HBM3E，HBM3比重预估约为39%，2024年提升至60%。当前HBM市场仍由三大家主导，2022年全年SK海力士占50%，三星占40%，美光占10%。
　　TSV为HBM核心工艺，电镀、测试、键合需求提升。TSV为HBM核心工艺，成本占比接近30%，是HBM 3D封装中成本占比最高的部分。TSV通孔填充对性能至关重要，铜为主流填充材料。TSV成本结构中通孔填充占比25%，驱动电镀市场规模增长。TECHCET预计2022年先进封装和高端互联应用中，电镀材料全球市场规模近10亿美元，到2026年预计超过12亿美元。HBM需要进行KGSD（Known Good Stacked Die）测试，拉动测试需求。HBM高带宽特征拉动键合需求，从μbump到TCB/混合键合，推动固晶步骤和固晶机单价提升。
　　SK海力士技术领先，三星/美光加速追赶。1）SK海力士：技术领先，核心在于MR-MUF技术，MR-MUF能有效提高导热率，并改善工艺速度和良率。SK海力士于2021年10月率先发布HBM3，2023年4月公司实现了全球首创12层硅通孔技术垂直堆叠芯片，容量达到24GB，比上一代HBM3高出50%，SK海力士计划在2023年年底前提供HBM3E样品，并于2024年量产，公司目标2026年生产HBM4；2）三星：万亿韩元新建封装线，预计25年量产HBM4。为应对HBM市场的需求，三星电子已从三星显示（Samsung Display）购买天安厂区内部分建筑物和设备，用于建设新HBM封装线，总投资额达到7000-10000亿韩元。三星预计将在2023Q4开始向北美客户供应HBM3；3）美光：2024年量产HBM3E，多代产品研发中。美光在此前的财报电话会议上表示将在2024年通过HBM3E实现追赶，预计其HBM3E将于2024Q3或者Q4开始为英伟达的下一代GPU供应。11月6日美光在台湾台中四厂正式开工，宣布将集成先进的探测和封装测试功能，生产HBM3E等产品。
　　国内产业链有望在各品类半导体设备、材料受益。1）固晶机：新益昌；2）测试机、分选机等：长川科技；3）特种气体：华特气体；4）电子大宗气体：金宏气体、广钢气体；6）前驱体：雅克科技；7）电镀液：天承科技；8）环氧塑封料：华海诚科。
　　风险提示：下游需求持续疲弱；产业进度不及预期；市场竞争加剧。