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>> 方正证券-电子行业专题报告-先进封装专题三:代工、IDM厂商先进封装布局各显神通-231117
上传日期:   2023/11/18 大小:   3755KB
格式:   pdf  共23页 来源:   方正证券
评级:   推荐 作者:   佘凌星,刘嘉元,郑震湘
行业名称:   电子
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先进封装技术趋势在于提高I/O数量及传输速率,以实现芯片间的高速互联,市场格局呈现出明显的马太效应,Fab/IDM厂和OSAT错位竞争。2016年先进封装市场CR5占比48%,2021年提升至76%,强者恒强。Fab/IDM厂和OSAT厂各自发挥自身优势,Fab/IDM厂凭借前道制造优势和硅加工经验,主攻2.5D或3D封装技术,而OSAT厂商则聚焦于后道技术,倒装封装仍是其主要产品。封测技术主要指标为凸点间距(Bump Pitch),凸点间距越小,封装集成度越高,难度越大,台积电3DFabric技术平台下的3DSoIC、InFO、CoWoS均居于前列,其中3DSoIC的凸点间距最小可达6um,居于所有封装技术首位。
  台积电:整合构建3DFabric平台,先进制程持续演进。布局SoIC、CoWoS、InFO技术,搭建3DFabric技术平台,提供从前端到后端完全集成的同构和异构集成。SOIC为垂直芯片堆叠3D拓扑封装,可与CoWoS、InFO共用,AMD是首发客户,最新的MI300即以SoIC搭配CoWoS。苹果考虑后续在Macbook中使用SOIC搭配InFO技术,目前正处小批量试产中。CoWoS主要针对需要整合先进逻辑和高带宽存储器的HPC应用,目前已支持超过25个客户的140多种CoWoS产品,当前主要提供三种不同的转接板技术:CoWoS-S、CoWoSR、CoWoS-L。InFO是创新的晶圆级系统集成技术平台,具有高密度RDL和TIV,用于各种应用的高密度互连和性能,主要有InFO_PoP、InFO_oS两种产品。相对来说,CoWoS的性能更好,但成本较高;InFO则采用RDL代替硅中介层,无须TSV,性价比更高。
  三星:I-Cube和X-Cube提供2.5D&3D解决方案。三星提供了2.5D和3D在内的丰富的先进封装交钥匙解决方案。包括I-CubeS、I-CubeE、X-Cube (TCB)和X-Cube (HCB)四个不同的封装类型:1)I-CubeS和I-CubeE都是2.5D封装技术的代表:它们的技术特点是,在一个85x85mm2的封装中,可以同时放置多个HBM(目前是8个),并且互连层的面积是一个标准光罩的三倍,即3x reticle;2)3D封装技术X-Cube (TCB)和X-Cube (HCB):区别在于是否使用凸块连接技术,X-Cube (HCB)微凸块间距和硅片厚度仅为4μm和10μm,精度提升。
  英特尔:EMIB和3DFoveros持续演进。当前2.5D封装的主流方案包括:以台积电的CoWos-S为代表的sillicon interposer(硅中介层)连接方案,以及英特尔的以EMIB为代表的“sillicon bridge”(硅桥接)连接方案。其中EMIB封装不同之处在于其硅桥内嵌于基板之内,而cowos-s的硅中介层则是在基板之上。对比来看,EMIB方案优势在于不受掩模版尺寸限制,可以显著减小生产成本且使用灵活。而Foveros 3D封装取消了基板的连接环节,通过Die与Die之间的叠加和高密度连接,实现更小的功率损失,以及更好的连接性。第一代Foveros凸点间距为50微米,而第二代Foveros升级至36微米,连接密度增加一倍。
  风险提示:复苏节奏不及预期、中美贸易摩擦加剧、行业竞争加剧、测算误差风险。
  
 
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