核心观点
　　NAND：TrendForce称2025年Q1前五大NANDFlash品牌厂营收合计120.2亿美元。根据DRAMexchange，上周（20250526-0530）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.33%至2.19%，平均涨跌幅为1.04%。其中4个料号价格持平，17个料号价格上涨，1个料号价格下跌。根据科创板日报报道，据TrendForce集邦咨询研究，2025年第一季NANDFlash供应商在面对库存压力和终端客户需求下滑的情况下，平均销售价格(ASP)季减15%，出货量减少7%，前五大NANDFlash品牌厂营收合计为120.2亿美元，季减近24%。预估第二季品牌厂营收表现可望来到季增10%。
　　DRAM：TrendForce预计2025年第三季度DRAM整体价格涨幅减缓。根据DRAMexchange，上周（20250526-0530）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.27%至15.88%，平均涨跌幅为5.66%。上周17个料号呈上涨趋势，1个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据科创板日报报道，根据TrendForce最新的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，DDR5价格已出现放缓迹象，预计2025年第三季度DRAM整体价格涨幅将有所减缓。NAND闪存方面，现货价格自2月下旬以来上涨，目前已达到相对高位，购买动能正在降温。
　　HBM：华邦电子自研CUBE带宽超HBM4。根据CFM闪存市场报道，台湾地区存储厂商华邦电子表示，其自研的CUBE(定制化超高频宽存储元件；Customized Ultra-Bandwidth Elements)解决方案，预计2026年逐步贡献营收，期待2028年该产品营收可占其DRAM事业的40%。CUBE最初将用于挖矿应用领域，后续将延伸至监控摄影、穿戴设备等AI边缘运算场景。据华邦电子介绍，CUBE通过DDR3垂直堆叠设计，可堆叠出类似HBM效果，带宽甚至可超越HBM4。
　　市场端：现货LPDDR4X产品延续涨价行情，部分渠道内存条价格拉升。根据CFM闪存市场报道，在原厂停产部分DDR4、减产LPDDR4X持续影响下，近期现货DDR4颗粒、LPDDR4X等产品连续数周延续涨价趋势，在资源端供应趋紧且价格上涨推动下，涨价效应已渐渐蔓延至成品端。上周渠道市场也在供应吃紧下带动部分渠道内存条价格上涨。不过，因部分渠道客户销售不及预期使得拉货动能不足，行业端大容量SSD市场需求也较为冷淡，令上周部分渠道和行业SSD价格承压而小幅向下调整。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。