核心观点
　　NAND：铠侠计划五年内将产量翻一番，以满足AI数据中心对NAND需求。根据DRAMexchange，上周（20250602-0606）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-5.41%至2.86%，平均涨跌幅为0.37%。其中10个料号价格持平，10个料号价格上涨，2个料号价格下跌。根据科创板日报报道，日本NAND闪存巨头铠侠（Kioxia）公布其中长期业务计划，旨在通过扩大其在日本的两家主要工厂，四日市工厂和北上工厂的生产线，到2029财年将产能较2024财年翻一番，以满足人工智能数据中心对NAND闪存日益增长的需求。
　　DRAM：Lam Research发布"Akara"刻蚀系统。根据DRAMexchange，上周（20250602-0606）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.50%至17.16%，平均涨跌幅为8.20%。上周18个料号呈上涨趋势，0个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，Lam Research推出新一代刻蚀设备“Akara”，以满足下一代半导体制造工艺对高难度蚀刻技术的需求。Akara能够实现高达200:1的纵横比，这是迄今为止最高的蚀刻性能，能够在不损伤晶圆的情况下实现高效蚀刻。
　　HBM：华邦电子自研CUBE带宽超HBM4。根据CFM闪存市场报道，台湾地区存储厂商华邦电子表示，其自研的CUBE(定制化超高频宽存储元件；Customized Ultra-Bandwidth Elements)解决方案，预计2026年逐步贡献营收，期待2028年该产品营收可占其DRAM事业的40%。CUBE最初将用于挖矿应用领域，后续将延伸至监控摄影、穿戴设备等AI边缘运算场景。据华邦电子介绍，CUBE通过DDR3垂直堆叠设计，可堆叠出类似HBM效果，带宽甚至可超越HBM4。
　　市场端：多数现货DRAM成品延续涨价势头，然过高价格恐抑制部分市场采购需求。根据CFM闪存市场报道，存储现货市场多数渠道内存条、服务器DDR4、LPDDR4X等产品价格延续上升通道。价格过快上涨显然在部分现货市场难以被需求端普遍接受，如服务器市场中除部分急单之外，系统终端客户难以接受高价DDR4，服务器终端客户备货意愿明显承压；行业内存条价格上涨压力也逐渐显现。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。