灿若星河，光刻机加冕半导体皇冠
　　光刻即利用光刻胶的光敏性，将掩模版的图案通过光源照射转移至晶圆上。光刻是半导体制造工序中核心的一环，需要通过光刻机进行极为精密的控制。光刻机最核心的指标即为分辨率，根据瑞利公式，分辨率与光源波长λ、数值孔径NA以及工艺因子k1有关。光刻机数十年的迭代优化历程，也围绕以上三点因素展开：
　　(1)光源波长λ：由汞灯光源的g线、i线发展为KrF、ArF，最终发展至目前的EUV光源；
　　(2)数值孔径NA：分为增大收光角度和提高介质折射率两种方式。增大收光角度可以通过增大透镜尺寸来实现，而提高介质折射率可以在物镜与晶圆之间添加介质，例如浸润式光刻机；
　　(3)工艺因子k1：利用RET技术对光源系统及掩模版进行适度修正。
　　百川归海，光刻机零件聚焦三大环节
　　ASML的光刻机由800余家供应商的数十万零部件构成，其中最为核心的包括以下三大环节：
　　(1)光源系统：光刻机最为核心的环节，为曝光过程提供能量。目前最先进的光源通过CO2激光每秒轰击5万次锡靶液滴得到EUV激光。从DUV到EUV光源的研发门槛迅速提高，目前全球仅ASML的子公司Cymer和日本的Gigaphoton可供应EUV光源；
　　(2)光学系统：对光路进行优化处理。作为光的传播路径，光学系统承担汇集光源、减小像差的功能，并对光源做扩束、转向、均匀等处理。对于EUV光学系统则更为特殊，由于EUV光穿透性极差，因而EUV光刻机的光学系统只能全部采用反射镜。
　　(3)工件台系统：控制晶圆及掩模版的运动，是最终曝光的区域。ASML 2001年推出的TWINSCAN双工件台系统大大提高晶圆制造效率，但对控制精度有极高要求。
　　筚路蓝缕，复盘光刻机龙头波澜历程
　　光刻机行业的龙头交替变迁，大致可分为三个时代：光刻机早期技术不成熟，作为半导体发源地的美国凭借先发优势，诞生GCA、Perkin Elmer等巨头，但销量较低；当技术初步定型后，凭借日本政府的大力扶持，日本充分发挥后发优势，尼康与佳能一跃超过美国光刻机厂商，长时间分列光刻机第一、二名；当新一轮技术攻关遇阻后，ASML先后通过双工件台、浸润式以及EUV光刻机，三大技术跨越领先全球，由此近乎垄断先进制程光刻机至今。回顾历史，光刻机龙头的崛起常伴随在技术迭代的关键节点实现突破，同时受益于政府牵头的产业链推动。
　　风起青萍，国产光刻路虽远行则将至
　　我国光刻机产业起步较早，但后续发展迟缓导致目前落后于国际先进水平。自2006年国家“02专项”实施以来，中国半导体设备行业取得了显著进展，国产光刻机产业链不断完善。国内光刻机厂商如上海微电子在中低端市场已取得一定进展，但在高端制程光刻机领域仍面临挑战；此外，国内部分企业在光刻机上游光学、机械等零部件/子系统方面取得进展。
　　风险提示
　　1、产品研发进展不及预期；
　　2、外部环境存在不确定性；
　　3、市场竞争加剧；
　　4、下游晶圆厂扩产不及预期。