事件描述
　　据海力士三季报指引，伴随着AI推理端的持续落地，2026年DRAM/NANDFlash位元需求相较于25年呈进一步增长之势。我们认为存储行业逻辑正逐步完成从供给端控产驱动的涨价周期到AI需求拉动下的供给缺口逐步形成的产业大周期。当成长逻辑持续占优之际，持续看好存储行业的确定性机遇。
　　事件评论
　　据海力士三季报指引，2026年DRAM/NANDFlash位元需求增长分别为20%+/highteen%（2025年需求增长分别为high teen%/mid teen%），主要系伴随着AI推理的持续落地，AI服务器工作负担逐步向通用服务器等边缘基础设施转移，为快速响应并行处理，KVCache逐步从HBM卸载至DRAM和SSD，从而带动HBM、DDR5、eSSD等整体存储2026年位元需求的进一步增长。
　　需求端：就HDD，AI时代，大量数据量的产生激发对存储需求的持续扩张。当前，数据存储基石的Nearline HDD已出现供应短缺，当前交期已延长至52周以上，北美CSP厂商基于需求维度进一步锁定机械硬盘原厂26年相应产能，整体而言，HDD 26年将形成溢出需求。
　　就DRAM&NANDFlash而言，随着AI推理端的持续放量，Server端，KVCache逐步从HBM卸载至DRAM和SSD，半导体存储HBM、DDR5、NANDFlash均呈现需求确定性增长之势。
　　供给端：过去几年，存储原厂未形成有效规模产能的释放，更多是基于确定性AI相关的需求，将现有产能逐步向AI存储倾斜（如HBM、DDR5、QLCNANDFlash等）。由于新增产能开出周期较长，原厂依赖于稼动率提升形成的有效供给释放相对刚性。
　　区别于此前的存储周期，本轮存储周期的核心变化是AI拉动存储需求正持续攀升，行业周期正逐步从供给控产驱动的价格周期向需求成长下供给缺口逐步形成的产业大周期演绎。价格方面，展望2026年，存储市场有望在AI的强劲需求刺激下，原厂产能持续向server产品倾斜，挤占消费级供给，据TrendForce预估，26年存储有望持续实现价格的上扬，上半年更为显著。
　　当存储行业成长逻辑持续占优之际，我们看好存储产业链的确定性发展机遇。看好需求成长+价格周期+国产化率持续提升的模组、存储设计公司，看好国内原厂扩产逻辑下长鑫/长存产业链的核心标的。
　　风险提示
　　1、存储需求增长不及预期；
　　2、价格上涨幅度不及预期