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>> 国盛证券-通信行业点评-SST:供电系统里的“CPO”-260421
上传日期:   2026/4/22 大小:   396KB
格式:   pdf  共2页 来源:   国盛证券
评级:   增持 作者:   宋嘉吉,黄瀚,石瑜捷
行业名称:   通信
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核心逻辑:随着AI集群从MW级向GW级演进,传统工频变压器因体积大、效率低、缺乏智能交互,已成为制约算力密度的物理枷锁。SST将传统工频变压器升级为高频电力电子系统,通过功率半导体+高频磁性器件实现电压变换、隔离与能量管理的一体化集成,是“供电侧的CPO”——CPO缩短光链路,解决带宽/功耗瓶颈;SST缩短电链路,解决损耗/密度/响应瓶颈。
  什么是SST?——电源转换的“硅进铜退”。相较于传统变压器依赖电磁感应的被动式刚性变换,SST凭借高频电力电子调制实现了能量的主动柔性管控。1)高频化:利用宽禁带半导体(SiC/GaN)将频率从50Hz提升至数千甚至数万Hz,大幅缩小变压器体积(可减小约80%)。2)高度集成:就像CPO将光引擎与芯片封装在一起,SST将整流、DC/DC变换、逆变集成,直接对接机架直流供电,减少转换层级,综合效率提升显著。
  为什么是现在?——AI电力约束+电气架构升级的共振点:
  算力尽头是电力,电力瓶颈前移:AI集群功率密度持续上行(单机柜>100kW成为常态),传统“配电→变压→整流→分配”多级链路损耗高、响应慢,成为新瓶颈。
  高压直流/中压直供趋势:为降低损耗与铜耗,数据中心配电从低压交流向中压直供、HVDC演进,SST可在中压侧直接完成AC/DC+DC/DC转换与隔离,显著缩短能量路径。
  宽禁带器件成熟(SiC/GaN):高频、高效率成为可能,是SST产业化的核心前提;同时带来体积、重量与效率的系统级跃迁。
  SST产业链价值分布?——从底层的“硅/碳化硅”到顶层的“系统集成”。类似液冷从部件走向系统,SST的竞争核心不止于单一器件,而是拓扑设计、控制算法、热管理与系统级交付能力。同时,由于涉及电网/数据中心核心电力架构,SST的认证与导入周期较长,具备先发优势的厂商更易锁定份额。SST的推广核心取决于宽禁带半导体的渗透率与电控算法的成熟度:
  上游衬底/外延:高压SiC是SST的心脏,耐压值和良率决定了SST的商业化进度;
  中游功率器件/模块:处理高频开关损耗的模块;
  下游系统集成:具备电网级know-how和电力电子设计能力的整机厂商。
  投资建议:算力基建轮动开启,SST成为被低估的一环,具备从0→1的产业弹性,建议围绕“功率半导体→磁性器件→系统集成”三层结构布局,建议关注系统与电力设备龙头四方股份、金盘科技、阳光电源、思源电气,上游核心器件天岳先进(SiC衬底供应商)、三安光电(SiC外延/器件)、士兰微(功率器件)、斯达半导(IGBT/SiC模块)等,美股Wolfspeed((球SiC龙头)、Infineon(英飞凌)、ONSemiconductor(安森美)等。
  风险提示:算力进展不及预期、AI发展不及预期、技术创新风险。
  
  
 
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